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电子元器件详细资料 » IC[25739] » NSBC114YPDXV6T1G
型号:NSBC114YPDXV6T1G类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:SOT-563,SOT-666描述:TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧22210k
电阻器_发射极(R2)111欧22247k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)80 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装SOT-563
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市富乐亚科技有限公司郑小姐0755-18503085056
深圳市中新永盛科技有限公司朱先生0755-83211840
深圳市科翼源电子有限公司朱小姐13510998172
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
北京元坤国际科技有限公司何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
深圳市晶美隆科技有限公司李林0755- 82519391 0755-83209630
深圳信泰电子器材有限公司廖先生0755-83242658
深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生0755-82561519
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NSBC114YPDXV6T1G相关型号

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